2N7002LT1G Транзистор

2N7002LT1G — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор) малой мощности от onsemi, предназначенный для коммутации низковольтных нагрузок. Транзистор имеет логический уровень управления, что позволяет использовать его в схемах с напряжением затвора от 5 В, и выпускается в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Благодаря низкому пороговому напряжению и малому заряду затвора он широко применяется в качестве драйверов, ключей и в схемах управления питанием портативных устройств .

Основные характеристики:
— Тип: N-канальный MOSFET (полевой транзистор), логический уровень
— Напряжение сток-исток (Vds): 60 В
— Максимальный непрерывный ток стока (Id): 115 мА при 25 °C 
— Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)): 7,5 Ом при Vgs = 10 В, Id = 500 мА 
— Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): максимум 2,5 В при Id = 250 мкА 
— Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В 
— Рассеиваемая мощность (Pd): 225 мВт (при 25 °C) 
— Входная емкость (Ciss): 50 пФ при Vds = 25 В 
— Рабочая температура перехода: от -55 °C до +150 °C 
— Корпус: SOT-23 (TO-236AB), 3 вывода
— Монтаж: поверхностный (SMD/SMT)
— Класс влагочувствительности (MSL): 1 (без ограничений) 
— Соответствие: RoHS3, не содержит галогенов