BLT81.115 Транзистор

Транзистор BLT81,115 от NXP Semiconductors представляет собой эпитаксиально-планарный кремниевый NPN-транзистор, предназначенный для работы в УВЧ-диапазоне. Данный компонент в миниатюрном корпусе SOT-223 для поверхностного монтажа специально разработан для использования в качестве выходного усилителя мощности в портативных радиоустройствах, работающих в диапазоне 900 МГц . Благодаря золотой металлизации контактов, транзистор обладает высокой надежностью и устойчивостью к термоциклам . Компонент оптимизирован для работы в режиме класса В, обеспечивая отличный баланс между выходной мощностью и КПД .

Основные характеристики:
- тип транзистора – NPN, биполярный, УВЧ мощности 
- корпус – SOT-223 (TO-261-4) с тремя выводами и теплоотводящей площадкой для поверхностного монтажа 
- максимальное напряжение коллектор-эмиттер – 9.5 В 
- максимальный постоянный ток коллектора – 500 мА 
- максимальная рассеиваемая мощность – 2 Вт 
- граничная частота (fT) – 900 МГц 
- статический коэффициент передачи тока (hFE) – не менее 25 при токе коллектора 300 мА 
- типовой коэффициент усиления по мощности (Gp) – 8 дБ 
- КПД коллектора – до 77% 
- максимальная температура перехода – +175°C 
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – уровень 1 (не требует специальных мер предосторожности) 
- типовое применение – усилители мощности в системах радиосвязи 900 МГц, портативные радиостанции 
- устойчивость к рассогласованию нагрузки (VSWR) – до 50:1 при работе в классе AB 
- статус компонента – устаревший (Obsolete / Not Recommended for New Designs)