Достигнут значительный прогресс в сфере материалов сегнетоэлектрического типа

Исследователи из МФТИ и Пекинского технологического института разработали новый метод создания ультратонких пленок CuCrSe2 с исключительными сегнетоэлектрическими свойствами. 
Этот прорыв в области сегнетоэлектрических материалов открывает перспективы для разработки миниатюрных электронных устройств нового поколения.
Сегнетоэлектрики обладают уникальным свойством спонтанной поляризации, при которой электрические диполи выстраиваются в определенном направлении в границах кристаллических доменов. Направление и величина поляризации могут быть изменены внешним электрическим полем, что позволяет применять сегнетоэлектрики в транзисторах, устройствах памяти и датчиках.
Основная проблема использования сегнетоэлектриков - потеря свойств при миниатюризации. По мере уменьшения толщины материалов их спонтанная поляризация ослабевает и исчезает, ограничивая применение.
Научная группа под руководством Василия Столярова изучила ультратонкие пленки CuCrSe2, полученные методом химического осаждения из газовой фазы. Этот метод позволяет точно контролировать состав, структуру и толщину материала. Пленки состоят из треугольных нанокристаллов, форма которых обусловлена тригональной симметрией кристаллической структуры и влиянием подложки из монокристаллического сапфира.
Различные методы микроскопии и спектроскопии подтвердили наличие переключаемой поляризации в пленках CuCrSe2.
 Возможность создавать высокотемпературные сегнетоэлектрические пленки открывает перспективы применения в чипах памяти высокой плотности, сверхчувствительных датчиках и транзисторах следующего поколения