EMX4T2R Транзистор

Микросхема EMX4T2R от ROHM Semiconductor представляет собой сдвоенный высокочастотный биполярный транзистор (BJT) в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа . Данный компонент состоит из двух независимых NPN-транзисторов, собранных в одном корпусе EMT6, и оптимизирован для работы в схемах усиления и переключения высокочастотных сигналов . Благодаря высокой граничной частоте (1.5 ГГц) и малой выходной емкости, этот транзистор является идеальным выбором для входных каскадов высокочастотных усилителей, генераторов и схем согласования в телекоммуникационном, измерительном и портативном оборудовании .

Основные характеристики:
- тип компонента – сдвоенный биполярный транзистор (2 NPN Dual) 
- максимальная рассеиваемая мощность – 150 мВт 
- напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) – 20 В 
- максимальный постоянный ток коллектора – 50 мА 
- статический коэффициент передачи тока (hFE) – 56 при 10 мА, 10 В 
- граничная частота (fT) – 1.5 ГГц 
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер – 500 мВ 
- корпус для поверхностного монтажа – SOT-563 (EMT6) 
- диапазон рабочих температур – от -55°C до +150°C 
- технология изготовления – кремниевый (Si) 
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – уровень 1