Imec и ASML продемонстрировали создание первых логических и DRAM-структур с помощью литографического оборудования High-NA EUV

Imec и ASML сообщили о создании первых логических и DRAM-структур с использованием литографического оборудования Twinscan EXE: 5000 EUV, обладающего числовой апертурой 0,55, что известно как система high-NA litho. Эта успешная демонстрация высокоразрешающего шаблонирования с помощью EUV-сканера 0.55 NA считается важным шагом в производстве микроэлектроники. Imec достиг создания шаблонов случайных логических структур с металлическими линиями толщиной 9,5 нм, что соответствует шагу 19 нм и размерам менее 20 нм. Это позволяет использовать технологию для построения логики по техпроцессу класса 1,4 нм с одним воздействием High-NA. Также были созданы случайные переходы с межцентровым расстоянием 30 нм, что подтверждает высокую точность и однородность размеров. Кроме того, 2D-элементы были созданы с шагом 22 нм, что подходит для 3-нм процессов. С учетом того, что предсерийная система Twinscan EXE High-NA EUV была собрана менее года назад, достижения ASML и Imec в их совместной лаборатории в Нидерландах впечатляют. Это стало возможным после успешной печати линий с плотностью 10 нм в апреле. Люк Ван ден Хоув, президент imec, отметил, что результаты подтверждают ожидаемую разрешающую способность High-NA EUV литографии, позволяя достигать шагов менее 20 нм за одно экспонирование. Он также подчеркнул, что эта технология будет играть ключевую роль в масштабировании логики и памяти, что является важным шагом к "эре ангстрема". Imec также разработал шаблоны для макетов DRAM, которые объединяют узел хранения с периферией битовой линии с шагом 32 нм за одно экспонирование. Это достижение подчеркивает возможность High-NA технологии заменить несколько слоев масок одним экспонированием, что упрощает производственные процессы и снижает затраты.