IRF3205PBF Транзистор

Полевой транзистор IRF3205PBF от Infineon Technologies – это мощный N-канальный MOSFET в популярном корпусе TO-220AB для сквозного монтажа . Данный компонент принадлежит к передовой серии HEXFET® и оптимизирован для высокоэффективной коммутации больших токов при относительно низком напряжении . Благодаря сверхнизкому сопротивлению открытого канала и высокой ударной вольт-амперной характеристике, он широко применяется в силовых цепях инверторов, импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления электроинструментом .

Основные характеристики:
- тип канала – N-канал (N-Channel), режим обогащения 
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – 55 В 
- максимальный постоянный ток стока (Id) – 110 А (при температуре корпуса 25°C) 
- сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) – 8 мОм (макс.) 
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 200 Вт 
- полный заряд затвора (Qg) – 146 нКл 
- входная емкость (Ciss) – 3247 пФ 
- напряжение затвор-исток (VGS) – ±20 В 
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – от 2.0 до 4.0 В 
- рабочая температура перехода (TJ) – от -55°C до +175°C 
- тип корпуса – TO-220AB (TO-220-3) для сквозного монтажа 
- серия – HEXFET® 
- дополнительные характеристики – полностью лавинно-стойкий, высокая устойчивость к скорости изменения напряжения (dv/dt), соответствует стандарту для автомобильных приложений 
- соответствие экологическим стандартам – соответствует RoHS (компонент не содержит свинец), материал выводов – матовое олово (Matte Tin)