IRF540NSPBF Транзистор

Мощный N-канальный MOSFET, 100 В, 33 А, корпус D2PAK (TO-263). Классический полевой транзистор от Infineon Technologies (ранее International Rectifier) из семейства HEXFET®, предназначенный для поверхностного монтажа. Обеспечивает низкое сопротивление открытого канала и высокую надежность для широкого спектра силовых применений.

Основные характеристики:
- Тип канала — N-канал
- Максимальное напряжение сток-исток (Vdss) — 100 В
- Непрерывный ток стока при 25°C (Id) — 33 А
- Технология — Si (кремний)
- Сопротивление открытого канала (Rds(on)) — макс. 44 мОм
- Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) — 4 В
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) — ±20 В
- Заряд затвора (Qg) — 47.3 нКл
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — 3.8 Вт (уточнение: вероятно, указано значение при Ta, типовое значение при Tc значительно выше)
- Диапазон рабочих температур (переход) — от -55°C до +175°C
- Тип корпуса для поверхностного монтажа — D2PAK-3 (TO-263-3)
- Тип монтажа — поверхностный монтаж
- Конфигурация — одиночный ключ