IRF5803TRPBF Транзистор

Полевой транзистор IRF5803TRPBF от Infineon Technologies – это мощный P-канальный MOSFET (MOSFET с P-каналом), выполненный по передовой HEXFET®-технологии . Данный компонент предназначен для поверхностного монтажа в миниатюрном корпусе TSOP-6 и широко применяется в цепях управления питанием, таких как нагрузочные ключи (Load Switch), DC-DC преобразователи и системы управления электропитанием портативных устройств .

Основные характеристики:
- тип канала – P-канальный (P‑Channel), режим обогащения 
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – 40 В 
- максимальный постоянный ток стока (Id) – 3.4 А 
- сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) – не более 112 мОм при VGS = 10 В 
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 2 Вт 
- полный заряд затвора (Qg) – 37 нКл при VGS = 10 В 
- входная емкость (Ciss) – 1110 пФ при VDS = 25 В 
- напряжение затвор-исток (VGS) – ±20 В 
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – 3 В (макс.) при токе стока 250 мкА 
- рабочая температура перехода (Tj) – от -55°C до +150°C 
- тип корпуса – TSOP-6 (SOT-23-6) 
- способ монтажа – поверхностный (SMD/SMT) 
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – 1 
- соответствие экологическим стандартам – RoHS