IRF6775MTRPBF Транзистор

Транзистор IRF6775MTRPBF от Infineon Technologies – это специализированный N-канальный MOSFET (HEXFET®), разработанный для высококачественных усилителей класса D . Компонент выполнен в инновационном корпусе DirectFET™ MZ, который значительно снижает паразитные индуктивности и сопротивления по сравнению с традиционными корпусами, что обеспечивает превосходные электрические характеристики и исключительное качество звука . Данный транзистор является ключевым строительным блоком для построения мощных, эффективных и высоколинейных усилительных каскадов в профессиональном и бытовом аудиооборудовании .

Основные характеристики:
- тип канала – N-канал (N‑Channel)
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – 150 В
- максимальный постоянный ток стока (Id) – 4.9 А (при Та = 25°C) / 28 А (при Tc = 25°C)
- сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)) – 47–56 мОм при VGS = 10 В
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 2.8 Вт (при Та = 25°C) / 89 Вт (при Tc = 25°C)
- полный заряд затвора (Qg) – 25–36 нКл при VGS = 10 В
- входная емкость (Ciss) – 1411 пФ
- напряжение затвор-исток (VGS) – ±20 В
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – 5 В (макс.) при Id = 100 мкА
- обратное время восстановления встроенного диода (trr) – 35 нс
- рабочая температура перехода (Tj) – от -40°C до +150°C
- технология – MOSFET с металлическим затвором (Metal Oxide)
- корпус – DirectFET™ MZ (тип MZ) для поверхностного монтажа (SMD)
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – 1 (не требует специальных мер предосторожности при хранении и пайке)
- совместимость с экологическими стандартами – соответствует RoHS (не содержит свинец), безгалогенный
- типовое применение – D-класс аудио усилители, импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, силовая электроника