IRF7342PBF Транзистор

Полевой транзистор IRF7342PBF от Infineon Technologies (ранее International Rectifier) – это сдвоенный P-канальный MOSFET, выполненный по передовой HEXFET®-технологии пятого поколения. Данный компонент в миниатюрном корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа объединяет два транзистора в одной сборке и предназначен для использования в цепях управления питанием, в качестве нагрузочных ключей (Load Switch), а также в DC-DC преобразователях и телекоммуникационном оборудовании .

Основные характеристики:
- тип транзистора – сдвоенный (dual) P-канальный MOSFET, режим обогащения (Enhancement Mode)
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – -55 В
- максимальный постоянный ток стока (Id) – -3.4 А
- сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)) – 0.105 Ом (макс.) при VGS = -10 В, Id = -3.4 А
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – от -1.0 В до -3.0 В при Id = -250 мкА
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 2 Вт (при температуре окружающей среды)
- полный заряд затвора (Qg) – 38 нКл (макс.) при VGS = -10 В
- входная емкость (Ciss) – 690 пФ при VDS = -25 В
- выходная емкость (Coss) – 210 пФ
- проходная емкость (Crss) – 86 пФ
- напряжение затвор-исток (VGS) – ±20 В
- время включения (t(on)) – 14 нс (типовое)
- время выключения (t(off)) – 43 нс (типовое)
- диапазон рабочих температур – от -55°C до +150°C
- тип корпуса – SOIC-8 (SO-8) для поверхностного монтажа (SMD/SMT)
- особенности – логическое управление (Logic Level Gate), совместим с низковольтными логическими схемами
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – уровень 1 (не требует специальных мер предосторожности при хранении и пайке)
- статус компонента – активный, в производстве (Active)
- соответствие экологическим стандартам – RoHS (компонент не содержит свинец), безгалогенный