IRFI4321PBF Транзистор

Транзистор IRFI4321PBF от Infineon Technologies – это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), выполненный по передовой HEXFET®-технологии . Данный компонент в изолированном корпусе TO-220 Full-Pak (TO-220AB FP) предназначен для сквозного монтажа (THT) и широко применяется в силовых цепях импульсных источников питания (SMPS), системах бесперебойного питания (UPS), схемах синхронного выпрямления, а также в системах управления движением (Motion Control) и высокочастотных преобразователях . Ключевыми преимуществами являются низкое сопротивление открытого канала, малый заряд затвора и улучшенные характеристики обратного восстановления встроенного диода, что обеспечивает высокую эффективность переключения и снижает электромагнитные помехи (EMI) .

Основные характеристики:
- тип канала – N-канальный, режим обогащения (Enhancement Mode) 
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – 150 В 
- максимальный постоянный ток стока (Id) – 34 А при температуре корпуса 25°C 
- импульсный ток стока (Idm) – 140 А 
- сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)) – 12.2 мОм (типовое), 16 мОм (максимальное) при VGS = 10 В, Id = 20 А 
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 46 Вт 
- полный заряд затвора (Qg) – 73 нКл (типовое) / 110 нКл (максимальное) при VGS = 10 В 
- входная емкость (Ciss) – 4440 пФ при VDS = 50 В 
- выходная емкость (Coss) – 390 пФ 
- проходная емкость (Crss) – 84 пФ 
- напряжение затвор-исток (VGS) – ±30 В 
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – от 3.0 В до 5.0 В при Id = 250 мкА 
- лавинная стойкость (EAS) – 170 мДж 
- рабочая температура перехода (TJ) – от -55°C до +150°C 
- тип корпуса – TO-220 Full-Pak (TO-220AB FP) с электрически изолированным фланцем 
- способ монтажа – сквозной (Through-Hole) 
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – 2 (срок хранения 1 год при вскрытой упаковке) 
- соответствие экологическим стандартам – RoHS-совместим (без свинца), материал выводов – матовое олово (Matte Tin) с никелевым барьерным слоем 
- статус компонента – активный (Active) в производстве 
- серия/технология – HEXFET®