NDB6020P Транзистор

Полевой транзистор NDB6020P от Fairchild Semiconductor (в настоящее время — ON Semiconductor) представляет собой мощный P-канальный МОП-транзистор (MOSFET), выполненный по передовой технологии DMOS с высокой плотностью ячеек . Данный компонент предназначен для применения в низковольтных (до 20 В) силовых цепях, где критически важны малые потери проводимости и высокая скорость переключения. Ключевым преимуществом транзистора является наличие логического уровня управления (Logic Level Gate), что позволяет напрямую подключать его к микроконтроллерам и логическим микросхемам без дополнительных драйверов.

Основные характеристики:
- Тип канала: P-канальный (P-Channel), режим обогащения (Enhancement Mode) 
- Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): -20 В 
- Максимальный постоянный ток стока (Id): -24 А 
- Максимальный импульсный ток стока (Idm): -70 А 
- Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)): 0.05 Ом (макс.) при VGS = -4.5 В 
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 Вт 
- Напряжение затвор-исток (VGS): ±8 В 
- Рабочая температура перехода (Tj): от -65°C до +175°C 
- Тип корпуса: D2PAK (TO-263AB) для поверхностного монтажа 
- Совместимость с бессвинцовой пайкой и соответствует стандарту RoHS