NTJD4001NT1G Транзистор

Сдвоенный N-канальный MOSFET транзистор NTJD4001NT1G от onsemi представляет собой маломощное ключевое устройство для поверхностного монтажа в миниатюрном корпусе SOT-363. Данный компонент содержит два изолированных транзистора в одном корпусе и оптимизирован для работы в цепях с батарейным питанием, таких как сотовые телефоны, КПК и цифровые камеры . Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и малому заряду затвора, он идеально подходит для использования в качестве нагрузочного ключа низкой стороны, понижающих преобразователей и схем согласования уровней .

Основные характеристики:
- конфигурация – два N-канальных MOSFET в одном корпусе (Dual N-Channel), изолированные
- максимальное напряжение сток-исток – 30 В
- максимальный постоянный ток стока – 250 мА
- максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии – 1.5 Ом при напряжении затвор-исток 4 В и токе стока 10 мА
- максимальная рассеиваемая мощность – 272 мВт
- полный заряд затвора – 1.3 нКл при напряжении затвор-исток 5 В
- входная емкость – 33 пФ при напряжении сток-исток 5 В
- пороговое напряжение открытия – 1.5 В (макс.) при токе стока 100 мкА
- максимальное напряжение затвор-исток – ±20 В
- диапазон рабочих температур – от -55°C до +150°C
- тип корпуса – SOT-363 (SC-88) с 6 выводами для поверхностного монтажа
- уровень чувствительности к влажности – MSL 1 (не требует специальных мер предосторожности при хранении и пайке)
- защита от статического электричества – встроенная ESD-защита на затворе
- соответствие экологическим стандартам – RoHS (компонент не содержит свинец)