PMBFJ112 Транзистор

Транзистор PMBFJ112 от NXP Semiconductors – это N-канальный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом (JFET), выполненный в миниатюрном пластиковом корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Данный компонент с симметричной структурой и режимом обеднения предназначен для использования в качестве аналогового ключа, коммутатора, чоппера или мультиплексора в высокоскоростных схемах.

Основные характеристики:
- тип канала – N-channel (N-канальный) в режиме обеднения (depletion mode)
- максимальное напряжение сток-исток (VDS) – 40 В
- максимальное напряжение затвор-исток (VGS) – 40 В
- ток стока при нулевом смещении на затворе (IDSS) – 5 мА при VDS = 15 В
- напряжение отсечки (VGS(off)) – 5 В при токе стока 1 мкА
- максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) – 50 Ом
- входная ёмкость (Ciss) – 6 пФ при VDS = 10 В
- максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) – 300 мВт
- корпус – SOT-23 (TO-236AB) для поверхностного монтажа (SMD), 3 вывода
- диапазон рабочих температур (Tj) – от -65°C до +150°C
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – 1 (не требует специальных мер предосторожности)
- особенности конструкции – сток и исток взаимозаменяемы, что упрощает проектирование
- соответствие экологическим стандартам – RoHS (компонент не содержит свинец)
- статус компонента – устаревший (Obsolete), снят с производства