Samsung планирует внедрить технологию своих конкурентов?
Samsung Electronics планирует использовать технологию производства чипов, которую продвигает ее конкурент SK Hynix. Это связано с тем, что ведущий в мире производитель памяти стремится наверстать упущенное в гонке по производству высококачественных чипов, используемых для работы искусственного интеллекта (ИИ).
Компания Samsung отстает в гонке из-за некоторых сложностей, связанных с методом производства NCF чипов. В то время как SK Hynix, используя технологию MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill), стала первым поставщиком, выпустив востребованные чипы HBM3E для Nvidia.
По инсайдерской информации Samsung Electronics тоже решили перейти на технологию производства MR-MUF. Источники сообщают что компания Samsung недавно разместила заказы на поставку оборудования для производства чипов, предназначенного для работы с технологией MUF. Аанонимный источник заявил: "Samsung было необходимо принять меры для увеличения объемов производства HBM. Использование метода MUF является неким отступлением от своих принципов со стороны компании, поскольку в конечном итоге они присоединились к технологии, которая была впервые использована SK Hynix".
Однако официальные представители компании отметили, что технология NCF остается "оптимальным решением". "Мы занимаемся продуктами HBM3E в соответствии с планом". "Слухи о том, что Samsung будет применять MR-MUF в производстве HBM, не соответствуют действительности". Инсайдеры утверждают, что Samsung планирует "использовать как NCF, так и MUF-технологии" для памяти HBM нового поколения. Процесс поиска материалов MUF займёт длительное время, массовое производство не начнется в этом году.
MR-MUF (Advanced Mass Reflow Molded Underfill) - это технология, применяемая в разработке памяти HBM3E компанией SK Hynix. Этот подход сокращает пространство между блоками памяти в стеке HBM, что улучшает эффективность и позволяет достичь высокой пропускной способности памяти. Технология MR-MUF также помогает повысить эффективность производства микросхем и обеспечивает высокую скорость передачи данных.
HBM (High Bandwidth Memory) - это новый стандарт видеопамяти, который представляет собой стековую компоновку из нескольких кристаллов. Этот стандарт разработан для обеспечения высокой производительности и снижения потребляемой энергии. Память HBM имеет особую архитектуру, где чипы располагаются друг на друге и связаны в единую систему микроструктурами u-bump. Такая конструкция позволяет значительно уменьшить занимаемое памятью место на плате, обеспечивая близкое расположение к вычислительному процессору
HBM3E (High Bandwidth Memory 3E ) - это новейшее поколение высокопроизводительной памяти, которое обеспечивает высокую пропускную способность и энергоэффективность для решения задач искусственного интеллекта (AI). HBM3E обладает улучшенными характеристиками по сравнению с предыдущими стандартами, такими как поддержка больших плотностей, повышенная скорость работы, увеличенное количество банков памяти, возможности надежности, доступности и обслуживаемости (RAS), а также новая архитектура тактирования. Этот стандарт позволяет создавать устройства с плотностью до 32 Гб и до 16-слойным стеком для общего объема памяти до 64 ГБ. HBM3E обеспечивает высокую скорость передачи данных до 9,6 Гб/с и значительно повышает пропускную способность по сравнению с предыдущими стандартами
Читайте также: Самый мощный в мире чип от NVIDIA — Blackwell B200
15.03.2024