Samsung успешно создала 16-слойную стековую память HBM, которая работает нормально, но в настоящее время компания не планирует запускать такие чипы в массовое производство. Предположительно, такие стеки станут массовыми только с выходом HBM4, и это произойдет не раньше, чем через два года. Эта технология может быть более выгодной, поскольку она позволяет добавлять больше слоёв без необходимости использования сквозных кремниевых переходов.
Образец 16-слойного стека был изготовлен на оборудовании Semes — дочерней компании Samsung. В Samsung рассматривали возможность использовать гибридное соединение или термокомпрессионную непроводящую плёнку (TC-NCF) для памяти HBM4, тестирование которой начнётся в 2025 году, а массовое производство стартует в 2026 году, пояснил господин Ким.
Напомним, месяц назад Samsung представила новую память HBM3E 12H с рекордной емкостью 36 ГБ на стек и пропускной способностью 1,28 ТБ/с. В данном случае стек состоит из 12 слоев, что является новым шагом, поскольку обычно стеки HBM состоят из восьми слоев. Уникальность памяти HBM заключается в том, что чем больше слоев в стеке, тем выше емкость и пропускная способность. Например, если бы память HBM3E текущего поколения имела 16 слоев, то пропускная способность составила бы 1,7 ТБ/с, а с выходом HBM4 она будет еще выше.
10.04.2024
