SI7998DP-T1-GE3 Транзистор

Транзистор SI7998DP-T1-GE3 от Vishay Siliconix – это сдвоенный N-канальный MOSFET, выполненный по передовой TrenchFET®-технологии. Данный компонент в миниатюрном корпусе PowerPAK® SO-8 Dual для поверхностного монтажа оптимизирован для работы в DC-DC преобразователях, системах питания (POL) и других ключевых цепях силовой электроники, где требуется высокая эффективность и компактность. Он оснащен логическим уровнем управления, что позволяет подключать его напрямую к микроконтроллерам и другим низковольтным логическим схемам.

Основные характеристики:
- конфигурация – сдвоенный (2 элемента) N-канальный MOSFET
- максимальное напряжение сток-исток (Vdss) – 30 В
- максимальный постоянный ток стока (Id) – 25 А для канала 1 и 30 А для канала 2 (при температуре корпуса 25°C)
- максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (RDS(on)) – 9.3 мОм для канала 1 и 5.3 мОм для канала 2 при VGS = 10 В
- типовой полный заряд затвора (Qg) – 8.2 нКл для канала 1 и 15.3 нКл для канала 2 при VGS = 10 В
- входная емкость (Ciss) – 1100 пФ при VDS = 15 В
- пороговое напряжение открытия (VGS(th)) – 2.5 В (макс.) при токе стока 250 мкА
- максимальная рассеиваемая мощность (Pd) – 22 Вт для канала 1 и 40 Вт для канала 2 (при температуре корпуса 25°C)
- диапазон рабочих температур (TJ) – от -55°C до +150°C
- тип корпуса – PowerPAK® SO-8 Dual (8-выводной) для поверхностного монтажа
- уровень чувствительности к влажности (MSL) – 1 (не требует специальных мер предосторожности)
- соответствие экологическим стандартам – RoHS (компонент не содержит свинец), безгалогенный
- технология – TrenchFET® Power MOSFET, оптимизирована для ШИМ-приложений
- ключевая особенность – логический уровень управления (Logic Level Gate) для прямого подключения к цифровым схемам