SK Hynix планирует вложить приблизительно 90 миллиардов долларов США в увеличение производственных мощностей.
Южнокорейская компания по производству памяти SK Hynix успешно использовала возрастающий спрос на рынках искусственного интеллекта (ИИ) и высокопроизводительных вычислений (HPC). По данным отчета ComputerBase, благодаря своим продуктам HBM и DDR5, SK Hynix быстро преодолела спад на рынке памяти в 2023 году и прогнозирует дальнейший рост.
SK Hynix планирует официально начать проект расширения в марте 2025 года. Первый завод будет завершен к 2027 году, а весь комплекс ожидается в 2046 году. Пока не определено, будет ли первый завод производить DRAM или NAND Flash-память. Учитывая высокий спрос на продукцию HBM на рынке искусственного интеллекта и ограниченные производственные мощности, SK Hynix, вероятно, выберут именно это направление. Память HBM, которая широко используется в серверах для искусственного интеллекта, переживает увеличение спроса по всему миру. Согласно информации из предыдущего пресс-релиза TrendForce, основные производители оригинальной HBM в 2023 году держали следующие доли рынка: SK Hynix и Samsung составляли примерно 46–49%, а Micron – около 4–6%.
HBM – высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для DRAM с многослойной компоновкой кристаллов в микросборке.HBM обеспечивает более высокую пропускную способность при меньшем расходе энергии и существенно меньших размерах по сравнению с DDR4 или GDDR5[9]. Это достигается путём объединения в стек до восьми интегральных схем DRAM (включая опциональную базовую схему с контроллером памяти), которые соединены между собой с помощью сквозных кремниевых межсоединений (англ. Through-silicon via) и микроконтактных выводов
DRAM - динамическая память с произвольным доступом) отличается использованием полупроводниковых материалов, энергозависимостью и возможностью доступа к данным, хранящимся в произвольных ячейках памяти. Модули памяти с памятью такого типа широко используются в компьютерах в качестве оперативных запоминающих устройств (ОЗУ), атакже в качестве устройств постоянного хранения информации в системах, требовательных к задержкам. Физически DRAM состоит из ячеек, созданных в полупроводниковом материале в виде емкости. Заряженная или разряженная ячейка хранит бит данных. Каждая ячейка такой памяти имеет свойство разряжаться (из-за токов утечки и пр.), поэтому их постоянно надо подзаряжать — отсюда название «динамическая». Совокупность ячеек образует условный «прямоугольник», состоящий из определённого количества строк и столбцов. Один такой «прямоугольник» называется страницей, а совокупность страниц называется банком. Весь набор ячеек условно делится на несколько областей.
NAND - Во флэш-памяти NAND ячейки расположены последовательно, что означает, что доступ к данным осуществляется последовательно. Флэш-память NAND является энергонезависимой, что позволяет ей сохранять информацию даже без подключения к источнику питания. Такие запоминающие устройства могут хранить данные в течение длительного периода времени без их повреждения.
26.03.2024
