Сотрудники лаборатории металлорганических соединений для осаждения диэлектрических материалов Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН разрабатывают технологии для получения высокочистых соединений титана, циркония и гафния, необходимых для микроэлектроники. По словам заведующей лабораторией, кандидата химических наук Евгении Сергеевны Викуловой, редкоземельные металлы используются в создании наноструктур для микросхем и процессоров, где тонкие пленки нитрида титана уже востребованы. Однако для дальнейшего развития технологий, включая создание альтернативных энергонезависимых источников памяти, требуется оксид гафния, который не имеет аналогов.
Тонкие пленки с сложной геометрией получают методами химического газофазного (MOCVD) и атомно-слоевого (ALD) осаждения. Эти методы предполагают использование высокочистых соединений, однако, как показали исследования, импортные материалы, находящиеся под санкциями, не соответствуют необходимым стандартам чистоты. В результате ученым удалось разработать лабораторные образцы соединений с требуемыми характеристиками и технологии их очистки, что открывает возможности для масштабирования производства и дальнейшего применения в микроэлектронике.
30.08.2024